多晶 四栅电池片多晶 五栅电池片多晶 黑硅电池片
多晶 黑硅电池片
DQ157P4CP

先进 的制造管理系统(MES), 使产品具有完善的可追溯性

完善的SPC系统 确保对工艺过程的全程监控,降低生产过程波动,确保每片电池片符合客户要求

精细 的功率分档,确保组件输出功率的一致性

优良 的黑硅工艺,无花片现象,外观均匀一致,做成组件呈现均匀黑色

100%在线 外观质量检测+人工 外观检验,满足不同客户对电池片颜色要求

先进 的印刷工艺,同时满足对细栅线塑形和主栅线优良的焊接性的要求

严格 的浆料筛选程序,确保产品符合RoHS&Reach要求

良好 的包装设计,大大降低产品运输过程的隐裂和碎片

设计规格
电池 类型: 4主栅P型多 晶黑硅硅太阳电池
电池 片大小: 156.75 mm×156.75mm,± 0.25 mm
电池 片厚度: 200 μm ± 20 μm
倒角: 1.5mm+/-0.5mm
正面 及背面设计
电性 能参数
Efficiency Pmpp(W) Isc(A) Uoc(V) Impp(A) Umpp(V) FF
19.30% 4.742 9.233 0.639 8.709 0.544 80.31%
19.20% 4.717 9.220 0.638 8.691 0.542 80.16%
19.10% 4.692 9.206 0.637 8.672 0.540 80.01%
19.00% 4.668 9.193 0.636 8.654 0.539 79.85%
18.90% 4.643 9.179 0.635 8.636 0.537 79.70%
18.80% 4.619 9.165 0.634 8.618 0.535 79.54%
18.70% 4.594 9.152 0.632 8.600 0.534 79.39%
18.60% 4.570 9.138 0.631 8.581 0.532 79.23%
光谱 响应及不同光强下的IV曲线
光强 对性能的影响
光强 (W/m2) Isc Uoc
1000 1.0 1.000
800 0.8 0.991
600 0.6 0.980
500 0.5 0.970
400 0.4 0.960
200 0.2 0.931
温度系数
参数 系数
α 短路电流 0.065%/K
β 开路电压 -0.307%/K
δ 功率 -0.429 %/K
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